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IXFB 60N80P
80
70
60
Fig. 7. Input Admittance
T J = 125oC
130
120
110
100
90
Fig. 8. Transconductance
50
40
30
25oC
- 40oC
80
70
60
50
T J = - 40oC
25oC
125oC
40
20
10
0
30
20
10
0
4
4.25
4.5
4.75
5
5.25
5.5
5.75
6
6.25
6.5
6.75
0
10
20
30
40
50
60
70
80
180
V GS - Volts
Fig. 9. Forward Voltage Drop of
Intrinsic Diode
10
I D - Amperes
Fig. 10. Gate Charge
160
140
120
100
80
9
8
7
6
5
4
V DS = 400V
I D = 30A
I G = 10mA
60
40
20
0
T J = 125oC
T J = 25oC
3
2
1
0
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
1.1
1.2
1.3
1.4
0
20
40
60
80
100 120 140 160 180 200 220 240 260
100,000
f = 1 MHz
V SD - Volts
Fig. 11. Capacitance
1.000
Q G - NanoCoulombs
Fig. 12. Maximum Transient Thermal
Resistance
10,000
C iss
0.100
1,000
C oss
0.010
100
C rss
10
0.001
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
V DS - Volts
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
Pulse W idth - Seconds
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